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等离子体室组件涂层的精密工程技术

等离子体室组件涂层的精密工程技术

高密度存储设备从2D到3D结构的迁移改变了刻蚀和沉积过程的性质,特别是当3D NAND集成层数增加到96层或更多时,新的工艺化学变得普遍。更大数量的冗长的加工步骤和高纵横比(HAR)特性涉及到对芯片制造过程的所有步骤,包括蚀刻、沉积和清洗设备提出了新的要求。一致的过程稳定性变得更难实现。

  • 2021年2月3日

从可预测的缺陷过渡到普遍的缺陷

大多数设备和工艺工程师都是分析晶圆图的专家,能够快速识别信号,表明他们的设备或工艺何时发生了不规范的良率事件。但是随着缺陷特征变得更加微妙和难以快速识别,不仅需要考虑在线检查系统识别的是什么,而且还需要特别考虑它们没有识别的是什么。

  • 2021年1月15日,

防静电防护

就像一道闪电可以击中一个点并移动,在它之后形成一条破坏路径一样,一次静电放电也可以对半导体制造商的利润产生类似的影响。对于先进节点制造商来说,由于不锈钢加工工具部件无法满足日益提高的纯度要求,使用含氟聚合物的趋势加剧了静电放电带来的风险。

  • 2020年9月22日

解决EUV过程中的缺陷挑战

更强大的微处理器和更大的存储空间的驱动要求半导体晶圆制造过程的所有步骤。在某种程度上,增量的改进已经不够了,进一步的设备缩小需要一种完全不同的技术。半导体行业现在正经历着光刻的这种情况,在越来越多的关键芯片层中,极紫外(EUV)光刻正在取代193nm浸没(193i)光刻。

  • 2020年9月15日

开发先进沉积材料:成功的秘诀

我们生活在一个联系日益紧密的世界,对数据的渴望几乎无法抑制。要将这些原始数据处理成可操作的东西,需要最先进的人工智能(AI)芯片,用于从机器学习、自动驾驶汽车到智能城市和高效能源等多种应用。为了开发这些器件,集成器件制造商(IDMs)将半导体制造技术推向了极限。

  • 2020年8月20日

结束了首届SEMICON West 2020虚拟活动

enintegris最近在首届SEMICON West virtual活动上结束了激动人心的一周。该活动提供了一个很好的机会,与社会联系,并获得宝贵的见解,对未来的行业。

  • 2020年8月4日

参加SEMICON West 2020虚拟活动的enintegris

enintegris很兴奋地庆祝SEMI成立50周年,聚集在这个具有里程碑意义的虚拟活动上,重申我们为客户和合作伙伴创造独特价值的承诺。

  • 2020年7月13日

泵它:光化学输送,满足3D架构的挑战

光化学物质在将下一代设备带入现实中扮演着越来越重要的角色。虽然半导体制造一直需要一个纯净、无污染的环境,但要求越来越严格。

  • 2020年6月25日

DRAM:设备制造

DRAM体系结构在过去十年中几乎没有改变,随着每个连续的设备节点,其尺寸按比例缩小。然而,对于小于20纳米(nm)的节点(包括1x、1y、1z、1a和1b),这种线性路径达到了极限。要想让DRAM跟上逻辑技术的发展,不久就需要进行重大的变革。

  • 2020年6月16日

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