用于低温沉积的硅前体工具箱

硅 - 前体 - 白皮书-8552

驱动器朝着更快,更密集和更便宜的持续不减。


介绍

驱动器朝着更快,更密集和更便宜的持续不减。减少装置尺寸和结构的变化可以对半导体处理的所有步骤中使用的材料的额外要求,包括沉积氮化硅(六拐)和氧化硅(SiO 2)膜。通过晶体管的水平尺寸已经接近其下限,对于摩尔定律的路径需要向上建设。越来越多地使用FinFET晶体管结构和3D NAND存储器件在水平表面上从平面涂层驱动移动,以在垂直和拓扑上复杂的表面上的共形涂层。纵横比正在生长到共形涂层性能成为潜在障碍的程度。

氮化硅和氧化膜在半导体器件制造中起两种主要类型的功能。有些用于图案化,其他物品用于电绝缘材料。在这些广泛的类别中,每个应用程序都有一个略有不同的挑战。在这篇白皮书中,我们解释了前体在广泛的具有挑战性条件下沉积含有高硅膜的作用。

用于图案化的含硅薄膜

SIN和SIO2用作半导体器件中的图案层的一次性薄膜。自对准双人和四倍图案,其变得越来越普遍,是一种创造极细线的有效方法。该方法使用沉积在图案化结构的侧壁上的薄膜,以避免光刻的尺寸限制,而是制造比单独图案化的层更窄的线可以使用193nm光刻来实现。沉积的侧壁层用作掩模,以在随后的蚀刻步骤期间绘制下层层。当蚀刻牺牲层时,无论是通过干燥还是湿蚀刻工艺,下层都是在空间的两倍的两次上接收图案沉积图案膜之前的结构密度。通过四倍图案化,线宽是宽度的四分之一,而不会实现多个图案化步骤。